Etude des niveaux d'énergie dans la structure de la diode laser "gainp/algainp" par la méthode du pseudopotentiel

• Remerciements
  
• Sommaire
  
• Tables des matières
  
• Chapitre I : Les lasers à semiconduteurs
  
• Chapitre II : La méthode des pseudo potentiels
  
• Chapitre III : Propriétés et caractéristiques de l'alliage GaInP/AlGaInP
  
• Chapitre IV : Résultats et discussions
  
• Chapitre I :
  
• Les lasers à semiconducteurs
  
  • I-1 INTRODUCTION
    
  • I-2 AVANTAGES DES LASERS A SEMICONDUCTEUR
    
  • I-3 PRINCIPE DE L'EMISSION ET DE L'ABSORPTION
    
    • I-3-1 Absorption
      
    • I-3-2 Emission
      
      • I-3-2-a Emission spontanée
        
      • I-3-2- b Emission stimulée
        
  • I-4 STRUCTURE ELEMENTAIRE D'UN LASER
    
  • I-
    
  • 5 PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT D'UN LASER
    
  • I- 6 EFFET DE TEMPERATURE
    
  • I- 7 DIFFERENTS TYPES DE LASER A SEMI-CONDUCTEUR
    
    • I-7-1 laser à homojonction
      
    • I-7-2 Laser à double hé
      
    • I-7-3 LASER À PUITS QUANTIQUES
      
      • I-7-3- a Avantages des lasers à puits quantiques
        
  • II- 8 CALCUL DES NIVEAUX D'ENERGIE
    
  • I-
    
  • 9 FACTEUR DE CONFINEMENT
    
  • I-10 DENSITES D'ETATS
    
  • I-11 GAIN OPTIQUE DANS UNE STRUCTURE A PUITS QUANTIQUE
    
    • I-11-1 Gain modal
      
    • I-11-2 Gain maximal
      
  • II-12 CONCLUSION
    
• Chapitre II :
  
• La méthode des pseudopotentiels
  
  • II-1 EQUATION DE SCHRÖDINGER A UN ELECTRON
    
    • II-1-1 Hamiltonien exact du cristal
      
  • II-2 LA METHODE DES PSEUDOPOTENTIELS (P.M)
    
    • II-2-1 Formalisme mathématique
      
    • II-2-2 Les modèles des pseudopotentiels
      
      • II-2-2-a Le modèle local
        
      • II-2-2-b Le modèle non local
        
    • II-2-2-b-1 Modèle de Heine et Abarenkov
      
    • II-2-2-b-2 Modèle de Gauss
      
  • II-3 LA METHODE EMPIRIQUE DES PSEUDOPOTENTIELS (E.P.M)
    
    • II-3-1 L'approximation empirique locale
      
• Chapitre III
  
• Propriétés et caractéristiques de l'alliage
  
• GaInP/AlGaInP
  
  • III-1 LES COMPOSES III-V
    
  • III-2 DESCRIPTION DE L'ALLIAGE Gax In1-x P
    
  • III-
    
  • 3 PROPRIETE DE ( GaP,InP)
    
  • III-4 DESCRIPTION DE L'ALLIAGE AlxGayIn1-x-yP
    
  • III-5 STRUCTURE DE BANDE DE (GaP, InP,AlP)
    
  • IV-6 MASSE EFFECTIVE DE (GaP,InP,AlP)
    
  • III-7 PARAMETRE DE RESEAU DE L'ALLIAGE GaxIn1-xP
    
  • III-8 CONDITION D'ADAPTATION
    
    • 5.626 5.869
      
    • 5.4508 5.869
      
  • III-9 MASSE EFFECTIVE DE L'ALLIAGE GaxIn1-xP On désigne par :
    
  • III-10 GAP D'ENERGIE DE L'ALLIAGE GaxIn1-xP
    
    • III-10-1 Effets de la température sur le gap d'énergie de l'alliage GaxIn1-xP
      
    • 1.35
      
    • III-10-2 Effet de la pression sur le gap d'énergie de l'alliage GaxIn1-xP
      
  • III-11 L'INDICE DE REFRACTION DE L'ALLIAGE GaxIn1-xP
    
  • IV- 12 CONCLUSION
    
• Chapitre IV:
  
• Résultats et discussions
  
  • IV-1 INTRODUCTION
    
  • IV-2 AJUSTEMENT DES FACTEURS DE FORMES DES TROIS BINAIRES
    
  • IV-3 STRUCTURE DE BANDES ELECTRONIQUES DES TROIS BINAIRES
    
  • IV-4 STRUCTURE DE BANDES ELECTRONIQUES DES TROIS TERNAIRES AVEC DESORDRE
    
  • IV-5 STRUCTURE DE BANDES ELECTRONIQUES DES AlxGayIn1-x-yP SANS DESORDRE
    
  • IV-6 OPTIMISATION PAR LA METHODE GRAPHIQUE
    
    • IV-6-1 Désaccords de maille et contraintes de puits
      
    • IV-6-2 Longueur d'onde
      
      • IV-6-2-a Longueur d'onde en fonction de la largeur de puits
        
      • IV-6-2-b Longueur d'onde en fonction de la température
        
    • IV-6-3 Facteur de confinement
      
      • IV-6-3-a Facteur de confinement en fonction de la largeur de puits
        
    • IV-6-4 Gain maximal
      
      • IV-6-4-a Gain maximal en fonction de la densité de porteur
        
      • IV-6-4-b Gain maximal en fonction de la largeur de puits
        
      • IV-6-4-c Gain maximal en fonction de la température
        
• Conclusion générale
  
• Bibliographie
  
• Résumé
  
• Résumé :