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Etude des niveaux d'énergie dans la structure de la diode laser "gainp/algainp" par la méthode du pseudopotentiel

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par Laid Abdelali
Université Djilali Liabes Sidi Bel-Abbes  - Mémoire de magister 2009
  

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1.35

190 + T 335 + T 335+T

- 4 2 4 2 - 4 2

EX

6,20.10 . T 4,5.10 - T 4,5.10 T

(III-17)

( )

x T x

, = 0.05 + - + +

2.21

190 + T 335 + T 335+T

Le tableau III-4 donne les valeurs du gap direct et indirect pour les différentes concentrations du galium.

59

 

Température (K)

100

150

200

250

300

350

400

450

E

30%Ga

1.78

1.788

1.793

1.825

1.848

1.871

1.884

1.907

50%Ga

2.07

2.095

2.1

2.115

2.14

2.165

2.18

2.205

EX

30%Ga

2.238

2.251

2.264

2.277

2.3

2.323

3.336

3.59

50%Ga

2.25

2.265

2.28

2.295

2.32

2.323

2.336

2.385

Tableau III-4 : valeurs E , E X pour les différentes concentration en galium

On constate que le gap direct et indirect d'énergie de l'alliage GaxIn1-xP augmente quand la température augmente. La température n'a aucun effet sur leur nature.

III-10-2 Effet de la pression sur le gap d'énergie de l'alliage GaxIn1-xP

La dépendance du gap d'énergie avec la pression est donnée par le modèle de MORNAGAN[26]. Le gap direct et indirect d'énergie de l'alliage GaxIn1-xP en fonction de la pression est donnée par les relations suivante :

E x , p x 1.41 2,5.10 p 1.35 8,2.10 p

- 3 - 3

( ) (

= + ) + + (III-18)

E x , p x 0.05 2,5.10 p 2.21 8,2.10 p

- 3 - 3

( ) (

= + ) + + (III-19)

×

 

Pression (Kbar)

0

20

40

60

80

100

E

30%Ga

1.77

1.948

2.123

2.308

2.325

2.668

50%Ga

2.055

2.24

2.433

2.62

2.647

3

E X

30%Ga

2.225

2.4

2.575

2.76

2.93

3.12

50%Ga

2.235

2.42

2.605

2.8

2.985

3.18

Tableau III-5 : valeurs E , E X pour les différentes concentration en galium

Le tableau III-5 montre que le gap direct et indirect de l'alliage GaxIn1-xP augmente quand la pression augmente.

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