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Etude des niveaux d'énergie dans la structure de la diode laser "gainp/algainp" par la méthode du pseudopotentiel

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par Laid Abdelali
Université Djilali Liabes Sidi Bel-Abbes  - Mémoire de magister 2009
  

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IV-6-3 Facteur de confinement

On calculera le facteur de confinement pour la structure à puits quantique. On utilisera le ternaire Ga0.5In0.5P comme une couche active et le quaternaire Al0.31Ga0.21In0.48P comme une barrière pour la structure suivante (figure IV-18)[33].

Al0.31Ga0.21In0.48P : E g = 2.42 ev : n = 2.54

Ga0.5In0.5P : E g = 2.05 ev : n = 2.68

Figure IV-18 : Représente la structure avec leur gap et leur indice de réfraction.

IV-6-3-a Facteur de confinement en fonction de la largeur de puits

La figure IV-19 montre que le facteur de confinement d'une structure d'un seuil puits quantique croit avec la largeur de puits. On remarque également une faible croissance du facteur de

Facteur de confinement

h(x)

0.05 0.04 0.03 0.02 0.01

confinement avec la teneur en aluminium dans le barrière. Notons que toutes les valeurs du facteur de confinement sont faible (max 4% pour 10 nm).

5 6 7 8 9 10

x

Largeur de la zone active (nm)

Figure IV-19 : Variation du facteur de confinement en fonction de la largeur de la zone active.

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