Simulation et étude expérimentale d'un hacheur dévolteur à base d'un MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor)

• SOMMAIRE
  
  • II.2.1.1. Fonctionnement & &&&&& &&&& && &.& 18
    
  • II.2.1.2. Calcul de quelques grandeurs &&&&.&&&&. && 19
    
  • II.2.1.3. Formes d'ondes &&&&&&..&&&&&&& .& &. 20
    
  • II.2.2.1. Fonctionnement & &&&& &.&&&& & & & 22
    
  • II.2.3.3. Formes d'ondes &&&..& &&&&&&& .&&&&. 25
    
  • II.3.1. Hacheur réversible en tension &&&&&&&&&&&&..&&&. 26
    
• CHAPITRE TROIS
  
• NOMENCLATURE ET NOTATIONS
  
• INTRODUCTION GÉNÉRALE
  
• C'1NTERRA HIV CONII MIMS
  
• DE PUISSANCE
  
• Introduction
  
  • I.1. Diode de puissance
    
    • I.2.1. Fonctionnement parfait
      
    • I.2.2. Fonctionnement réel
      
  • I.3. Thyristor
    
    • I.3.1. Fonctionnement parfait
      
  • I.4. Le thyristor GTO (Gate Turn Off)
    
  • I.5. Transistor bipolaire de puissance (Bipolar Junction Transistor : BJT)
    
    • I.5.2. Fonctionnement réel
      
    • I.5.3. Choix d'un transistor
      
    • I.5.4. Commutation du transistor
      
  • I.6. Transistor MOS et MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor)
    
    • I.6.1. Fonctionnement parfait
      
    • I.6.2. Limites de fonctionnement
      
    • I.6.3. La protection de la grille du MOSEFT
      
  • I.7. Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
    
  • I.8. Comparaison entre les différents interrupteurs entièrement commandables
    
  • I.9. Conclusion
    
• ETUDE GENERALE
  
• SUR.
  
• LIES CONVERTISSEURS CO -CO
  
  • II.1. Introduction
    
  • II.2. Hacheurs non réversibles
    
    • II.2.1. Hacheur dévolteur (Série)
      
      • II.2.1.2. Calcul de quelques grandeurs
        
      • II.2.1.3. Formes d'ondes
        
    • II.2.2. Hacheur survolteur (Parallèle)
      
      • II.2.2.1. Fonctionnement
        
      • II.2.2.2. Calcul de quelques grandeurs
        
      • II.2.2.3. Formes d'ondes
        
    • II.2.3. Hacheur à stockage inductif
      
      • II.2.3.1. Fonctionnement
        
      • II.2.3.2. Calcul de quelques grandeurs
        
      • II.2.3.3. Formes d'ondes
        
  • II.3. Hacheurs réversibles
    
    • II.3.1. Hacheur réversible en tension
      
      • II.3.1.1. Fonctionnement
        
      • II.3.1.2. Formes d'ondes
        
    • II.3.2. Hacheur réversible en courant
      
      • II.3.2.1. Fonctionnement
        
      • II.3.2.2. Formes d'ondes
        
    • II.3.3. Hacheur réversible en tension et en courant (ou Hacheur à quatre quadrants)
      
      • II.3.3.1. Fonctionnement
        
      • II.3.3.2. Formes d'ondes
        
  • II.4. Conclusion
    
  • III.1. Introduction
    
  • III.2. Présentation générale
    
  • III.3. La commande MLI (Modulation de Largeur d'Impulsion)
    
  • III.4. Circuit d'interface (isolation)
    
    • III.4.1. Principe d'isolation
      
    • III.4.2. Isolation par opto-coupleur
      
    • III.4.3. Calcule de la résistance d'entrée d'opto-coupleur (Rd)
      
    • III.4.4. Calcule de la résistance de sortie d'opto--coupleur (RS)
      
  • III.5. Simulation de circuit de commande
    
    • III.5.1. Bloc d'alimentation (+15, -15)
      
    • III.5.2. Circuit de commande
      
    • III.5.3. Principe de fonctionnement de la carte de commande
      
  • III.6. Simulation de circuit de puissance
    
    • III.6.1. Hacheur série (ou dévolteur) avec une charge R
      
    • III.6.2. Hacheur série (ou dévolteur) avec une charge R-L
      
  • III.7. Les résultats expérimentaux
    
    • III.7.1. Bloc de commande du MOSFET (T=2ms/cm ; V=5 V/cm)
      
    • III.7.2. La mise en charge du hacheur
      
  • III.8. Conclusion
    
• CONCLUSION GÉNÉRALE