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Simulation et étude expérimentale d'un hacheur dévolteur à  base d'un MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor)

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par Oussama Demane
Université de Batna - Master en génie électrique 2011
  

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I.5.4. Commutation du transistor

Le passage de l'état saturé à l'état bloqué (ou inversement) ne s'effectue pas instantanément.

Ce phénomène doit être systématiquement étudié si les commutations sont fréquentes (fonctionnement en haute fréquence), car il engendre des pertes qui sont souvent prépondérantes.

Ø À la fermeture

Un retard de croissance de iC apparaît à la saturation. Le constructeur indique le temps de retard (delay time) noté td et le temps de croissance (rise time) noté tr , Fig.I-17.

La tension VCE est alors imposée par le circuit extérieur (charge, alimentation) et par l'allure de iC.

Ø À l'ouverture

Le courant de collecteur iC ne s'annule pas instantanément. Le constructeur indique le temps de stockage (storage time) noté ts , correspondant à l'évacuation des charges stockées (ce temps dépend du coefficient de saturation 2.iB/ ) et le temps de descente (fall time) noté tf , (Fig.I-17) [2].

Figure I-17 : Définitions des relatives à la commutation du transistor bipolaire.

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"Je ne pense pas qu'un écrivain puisse avoir de profondes assises s'il n'a pas ressenti avec amertume les injustices de la société ou il vit"   Thomas Lanier dit Tennessie Williams