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Simulation et étude expérimentale d'un hacheur dévolteur à  base d'un MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor)

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par Oussama Demane
Université de Batna - Master en génie électrique 2011
  

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CHAPITRE TROIS

SIMULATION ET TEST EXPÉRIMENTAL
D'UN HACHEUR DÉVOLTEUR

III.1. Introduction &&&&&&&&&.&&&&&&&. && &..&..&& 33

III.2. Présentation générale &&&&&&&&.&&&&&&. &&& && 33

III.3. La commande MLI (Modulation de Largeur d'Impulsion) &&&&. &&. 34

III.4. Circuit d'interface (isolation) & &&&&& &&&& &&.& &.& 35

III.4.1. Principe d'isolation &&..&&&&&&&&&&&&& && 35

III.4.2. Isolation par opto-coupleur &&&&&&..&&&..&&&. &. 35
III.4.3. Calcul de la résistance d'entrée d'opto-coupleur (Rd) &&. && ... 36
III.4.4. Calcul de la résistance De sortie d'opto-coupleur (Rs) & &&& 36

III.5. Simulation de circuit de commande &&&&&&. &&&&& && 37 III.5.1. Bloc d'alimentation (+15, -15) &&&&&&..&& &&& &. 37 III.5.2. Circuit de commande &&&&&&&&&&&&.&.&&&&... 37 III.5.3. Principe de fonctionnement de la carte de commande & 39

III.6. Simulation de circuit de puissance &&. &&&&&&&& & && 43

III.6.1. Hacheur série (ou dévolteur) avec une charge R &&&..&&&&. 43 III.6.2. Hacheur série (ou dévolteur) avec une charge R-L &&&&& &. 44

III.7. Les résultats expérimentaux .&&&&&&&&&&&&&&&&& 45

III.7.1. Bloc de commande du MOSFET &&&&&&&&.&&..&& . 45
III.7.2. La mise en charge du hacheur &&&&. &&. 46

III.8. Conclusion &&&&&&.&&&&&&&&&&&..&.&&&&& 48

CONCLUSION GÉNÉRALE &&&&&&&&&&&&&&&. 49

ANNEXES BIBLIOGRAPHIE

NOMENCLATURE ET NOTATIONS

BJT

GTO MOSFET IGBT MLI

PWM LED

VAK(V) iAK(A) Ue(V) Us(V) iG(A) Uc(V)

VCE
VBE
VBC

iB(A) iC(A)

Vsmoy(V) »iL(A) Vk(V) ik(A)

Ua(V) Ve(V) Vs(V) Rd((c)) Vf(V) if(A)

Bipolar Junction Transistor. Gate Turn Off.

Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor. Insulated Gate Bipolar Transistor.

Modulation de Largeur d'Impulsion. Pulse Width Modulation.

Light Emitting Diode.

Tension anode-cathode.

Courant anode-cathode.

Tension d'entré.

Tension de sortie.

Courant de gâchette.

Tension à la borne de capacité. Tension collecteur émetteur. Tension base émetteur.

Tension base collecteur.

Courant de la base.

Courant du collecteur

Tension moyenne de sortie.

Ondulation du courant dans l'inductance.

Tension à la borne du transistor. Courant qui passe dans le transistor. Tension d'alimentation.

Tension d'entré d'opto-coupleur. Tension de sortie d'opto-coupleur. Résistance d'entré d'opto-coupleur. tension a la borne de la diode. Courant directe dans la diode.

Rs((c)) Vcc(V) Vce(V) iC(A) Up(V) Ucom(V) Ucarré(V)

E(V)

Uc (V) Vr(V) Vp(V) iC(A) is(A)

Résistance de sortie d'opto-coupleur. Tension d'alimentation

Tension collectrice.

Courant collecteur.

Tension de signal triangulaire. Tension de la commande. Tension carré.

Tension de source.

Tension de sortie

Tension de référence.

Tension de la porteuse

Courant directe dans la charge. Courant fournée par la source.

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"Il faudrait pour le bonheur des états que les philosophes fussent roi ou que les rois fussent philosophes"   Platon