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Simulation et étude expérimentale d'un hacheur dévolteur à  base d'un MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor)

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par Oussama Demane
Université de Batna - Master en génie électrique 2011
  

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INTRODUCTION GÉNÉRALE

Les systèmes chargés de manipuler l'énergie électrique sont les convertisseurs statiques qui permettent d'adapter de manière réversible l'énergie entre le réseau et la charge.

Ces transformations apparaissent sous quatre formes pour lesquelles sont associés quatre types de convertisseurs : les redresseurs, les hacheurs, les onduleurs et les gradateurs ou les cycloconvertisseurs. Les fonctions de base peuvent être utilisées seules ou associées entre-elles pour adapter les modes de conversion aux besoins de l'utilisateur.

La question fondamentale qui se pose est comment à partir d'une source de tension fixe, produire une source de tension inférieure et stable, éventuellement réglable avec un meilleur rendement énergétique possible?, Plusieurs typologies ont été développées, entre autre rhéostat, diviseur de tension, jusqu'à ce que l'importance de l'efficacité énergétique soit avancée. Une technique qui consiste à découper la tension d'entrée puis la filtrer : c'est le principe des hacheurs.

Objectifs du travail

L'objectif de notre travail est d'étudié un hacheur abaisseur de tension. Présentation du mémoire

Le premier chapitre sera consacré à l'étudier sur les interrupteurs à semi-conducteurs de puissance.

Dans le deuxième chapitre, nous présenterons quelques types les convertisseurs DC-DC. Enfin, le troisième chapitre sera consacré à la simulation et présentation des résultats expérimentaux de notre hacheur dévolteur.

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DE PUISSANCE

Introduction

L'électronique de puissance utilise des semi-conducteurs pour réaliser les fonctions de commutation (interrupteur) ; Un interrupteur peut être formé par un seul semi-conducteur ou par un groupement en série ou en parallèle de plusieurs semi-conducteurs.

Les commutateurs non commandés sont réalisés par les diodes de puissance. Lorsque les applications nécessitent une intervention extérieure, les composants commandables entrent en jeu : parmi ceux-ci, ce chapitre se limite à l'étude des thyristors et des transistors de puissance bipolaires ou MOS. Un bref aperçu du transistor IGBT, plus moderne, est présenté pour terminer [1].

I.1. Diode de puissance

La diode de puissance (Fig.I-1) est un composant non commandable (ni à la fermeture ni à l'ouverture).

Elle n'est pas réversible en tension et ne supporte qu'une tension anode-cathode négative (VAK < 0) à l'état bloqué.

Elle n'est pas réversible en courant et ne supporte qu'un courant dans le sens anode-cathode positif à l'état passant (iAK > 0) [2].

Figure I-1 : Diode de puissance.

I.2.1. Fonctionnement parfait

Le fonctionnement de la diode s'opère suivant deux modes :

> diode passante (ou ON), tension VAK = 0 pour iAK > 0 ; > diode bloquée (ou OFF), tension iAK = 0 pour VAK < 0 .

On dit aussi que la diode a une caractéristique à deux segments.

Figure I-2 : Caractéristique de la diode parfaite.

En résumé, une diode se comporte comme un interrupteur parfait dont les commutations sont exclusivement spontanées :

> Il est fermé (ON) tant que le courant qui le traverse est positif (conventions de la Fig.I-1).

Ø Il est ouvert (OFF) tant que la tension à ses bornes est négative [2].

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"Je ne pense pas qu'un écrivain puisse avoir de profondes assises s'il n'a pas ressenti avec amertume les injustices de la société ou il vit"   Thomas Lanier dit Tennessie Williams