I.7. Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor)
Le transistor bipolaire assure une chute de tension à
l'état passant (VCE) plus favorable que le MOSFET.
Par contre, c'est le MOSFET qui est plus avantageux en raison de sa commande en
tension. Un transistor hybride, commande MOS en tension et circuit de puissance
bipolaire, permet de meilleures performances : c'est le transistor IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor). Ses caractéristiques sont reprises
de celles du transistor bipolaire :
VCEsat et iCsat [5].
Figure I-21 : Symbole et
Caractéristiques idéale d'un transistor IGBT.
I.8. Comparaison entre les différents
interrupteurs entièrement commandables
On doit rester très prudent lorsque l'on désire
comparer les différents interrupteurs présentés dans les
précédents paragraphes car de nombreuses propriétés
rentrent en compte et les caractéristiques de ces composants
évaluent encor de façon rapide et importante.
Le tableau 2-1 permet d'avoir une vue d'ensemble de leurs
performances [6].
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Composant
|
Puissance d'utilisation
|
Rapidité de commutation
|
|
BJT
GTO
MOSFET
IGBT
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Moyen
Fort
Faible
Moyen
|
Moyen
Lent
Rapide
Moyen
|
Tableau 2-1 : Propriétés
relatives des interrupteurs commandables.
I.9. Conclusion
Dans ce chapitre nous avons fait une étude sur le
fonctionnement parfait et réel des semi-conducteurs. Ces derniers sont
très utilisés dans les convertisseurs statiques actuels, leurs
utilisations dépendent de la puissance et de la fréquence
appliquées.
En effet, le prochain chapitre sera consacré à
l'étude des hacheurs (convertisseur continu-continu).
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