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Simulation et étude expérimentale d'un hacheur dévolteur à  base d'un MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor)

( Télécharger le fichier original )
par Oussama Demane
Université de Batna - Master en génie électrique 2011
  

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III.8. Conclusion

Dans ce chapitre on a exposé des différents résultats de simulation au niveau de la carte de commande et de bloc de puissance du hacheur, notre objectif est générant un signal continu et signal d'onde triangulaire. Un comparateur électrique détecte les points de croisement des deux signaux et dès lors produit le signal requis (signal carré). Celui-ci est appliqué à la gâchette de la MOSFET.

D'après les résultats expérimentaux, on peut conclure que les résultats obtenus sont très satisfaisants.

CO NC

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

tA E

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Conclusion générale

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