2.3 CONCLUSION DU CHAPITRE
Nous avons vu qu'après des implantations ioniques, des
nano-cavités/bulles sont formées pendant le recuit, dans les
semi-conducteurs. Dans ce chapitre, nous voyons leurs applications qui sont de
plus en plus utilisées : d'une part la fabrication de structures SOI par
l'intermédiaire du procédé Smart Cut dans le cas des
implantations d'hydrogène oil les cavités induites après
recuit permettent l'élimination des micros défauts et
l'hydrogène à la surface pour obtenir une nouvelle couche pure,
mince et à faible coût; aussi des dérivées de ce
procédé, ont permis la mise sur pieds des structures ULSI
(composants d'ultra haute intégration : des milliers de transistors dans
une seule puce électronique) et des matériaux à faible
constante diélectrique dit "`low-k materials'". D'autre part, le
piégeage des impuretés métalliques (gettering) par
implantations d'ions oil les nano-cavités/bulles induites servent de
pièges aux impuretés métalliques (purification). Lors de
ce procédé de fabrication et méthode
de purification, nous avons vu l'importance des
nano-cavités, qui nécessitent évidemment une croissance
pendant le recuit post-implantation (croissance thermique). L'étude de
cette croissance thermique nous permettra de mieux comprendre leur impact
technologique dans les semi-conducteurs.
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