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Le verre dans le batiment

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par Hamid Zeroub et Mohamed Larbi
Université Mhelmed Bougara Boumerdes - Ingenieur d'etat en genie des materiaux 0000
  

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1.4.2-La pulvérisation magnétron :

1.4.2.1-Effet magnétron :

Une décharge diode DC est entretenue par les électrons secondaires éjectés de la cathode sous l'effet du bombardement ionique. Dans ce cas les électrons qui ne rencontrent pas de molécules de gaz s'éloignent perpendiculairement à la cathode et sont captés par l'anode.

Si on superpose au champ électrique un champ magnétique B, perpendiculairement à celui ci, les trajectoires électroniques s'enroulent autour des lignes de champ magnétique, augmentant considérablement les chances d'ioniser une molécule de gaz au voisinage de la cathode [9].

Figur21.Système diode et système magnétron

1.4.2.2- Principe :

La décharge luminescente est concentrée dans la zone ou le champ magnétique est le plus intense ; il se forme donc une zone luminescente circulaire de forme annulaire. Ceci occasionne, après plusieurs heures de fonctionnement, une profonde déflexion à l'aplomb de l'anneau luminescent. La cathode magnétron existe sous deux formes principales : planes (rectangulaires ou rondes) et cylindriques.

Figure 22. Cathode à magnétron circulaire

1.4.2.3- Propriétés des cathodes magnétron :

La décharge magnétron se caractérise par un degré d'ionisation élevé. En effet, les électrons possèdent un mouvement cycloïdal autour des lignes de champ, ceci augmente donc le taux de collisions entre ces électrons et les molécules de gaz (Argon).

La pression de travail dans une enceinte équipée d'une cathode magnétron peut aller de quelques 10-3 Torr à quelques 10-4 Torr. Les particules pulvérisées vont donc se déplacer en lignes droites avec un minimum de collisions.

Dans des systèmes de pulvérisation magnétron, le champ magnétique augmente la densité du plasma ce qui a pour conséquences une augmentation de la densité de courant sur la cathode. De grands taux de pulvérisation ainsi qu'une diminution de la température du substrat peuvent être ainsi obtenus [9].

Remarque :

L'unité de mesure légale de pression est le pascal (Pa). Les unités pratiques en mesure du vide sont encore le torr (Torr) et le millibar (mbar). On a la correspondance :

1 Torr = 1,33 mbar = 133 Pa.

1.4.3-Dépôt par évaporation

1.4.3.1- Principe de l'évaporation thermique :

La technique la plus courante consiste à évaporer le matériau à déposer en le portant à une température suffisante. Des que la température de liquéfaction est dépassée, il se trouve que la pression de vapeur du matériau est sensiblement supérieure a celle résiduelle dans 1'enceinte. Alors des atomes du matériau s'échappent et se propagent en ligne droite jusqu'a ce qu'ils rencontrent un obstacle. Cette rencontre peut être le fait soit d'une surface solide (substrat, paroi de 1'enceinte) soit d'un atome ou d'une molécule se déplaçant dans l'espace. Dans le cas de rencontre une surface, il y aura séjour de 1'atome sur la surface avec échange d'énergie et si la surface est sensiblement plus froide que l'atome il y a condensation définitive. La rencontre d'une molécule résiduelle se traduit généralement par une déviation de l'atome d'évaporant II apparait donc qu'il est indispensable que la pression dans 1'enceinte soit suffisamment faible pour que la probabilité de rencontre d'un atome résiduel soit quasi nulle. Cela est réalise dans les systèmes courants des que la pression est de 1'ordre de 10" Torr car alors le libre parcours moyen d'un atome dans 1'enceinte est statistiquement supérieur aux dimensions de celle-ci [8].

Figure 23. Creuset pour l'évaporation thermique.

La procédure de chauffage du matériau à évaporer peut être réalisée de plusieurs façons qui seront choisies en général en fonction de critères de qualité du résultat attendu. On note fréquemment l'emploi d'un Creuset chauffe par effet joule : limité aux matériaux s'évaporant a relativement basse température (et en tout cas très en dessous du point de fusion du creuset qui sera souvent en alumine frittée, parfois en graphite ou en oxyde de béryllium).

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