Chapitre 3 : Elaboration et caractérisation des
couches de TiO2
D'après le spectre de diffraction (Fig 3.6), on
remarque que le pic principal qui représente la phase rutile R (110) de
TiO2 est plus intense et plus fin pour les couches déposées
à 200 °C que celui des couches déposées sur des
substrats chauffées à 100 ainsi qu'à 300 °C.
Effectivement, les grains de la phase rutile d'orientation
cristalline (110) ont la plus grande taille à 200°C d'après
le tableau 3.2. En effet, d'après le diagramme de Movchan et Demchishin
(figure 2.14) nous savons que lors de la réalisation de couches, plus la
température est importante, plus les grains sont gros.
Par contre, pour les couches déposées à
300 °C, on remarque que la taille des grains diminue. Ceci est dû
à l'apparition d'une deuxième orientation cristalline suivant le
plan (210) favorisant une couche polycristalline.
3.3.4 Couches élaborées sur des substrats de
silicium
La figure 3.8 représente les spectres de diffraction
des rayons X des différentes couches minces de TiO2
déposées sur des substrats de silicium type P et d'orientation
(100) à température ambiante, 100, 200 et 300 °C.
21 28 35 42 49 56
021)
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
(
201)
200°C
TAmb
300°C
100°C
Angle de Bragg 2?
(°)
Fig. 3. 8 Spectres de DRX des couches de
TiO2/Si
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