Modélisation et simulation du bruit de fond dans le transistor MOS (Metaphoriser Semiconductor ) à canal long

• CHAPITRE II: Structure et principe de fonctionnement du transistor MOS
  
• CHAPITRE III: Bruit dans le transistor MOS
  
• Introduction générale
  
• CHAPITRE É Aspects physiques du bruit page :2
  
  • É-1 Localisation des sources de bruit :
    
  • 
    
  • É-2 Les différents sources de bruit :
    
    • É-2-1 Bruit de grenaille:
      
    • É-2-2 Bruit thermique:
      
    • É-2-3 Bruit en1/f:
      
      • É-2-3-1 Théorie de McWhorter:
        
      • É-2-3-2 Théorie de Hooge:
        
      • É-2-3-2 Equation de Hooge pour les résistances :
        
    • É-2-4 Bruit d'avalanche:
      
    • É-2-5 Bruit de génération-recombinaison:
      
  • ²².1 Le principe de fonctionnement du transistor MOS:
    
  • 
    
  • ²² .2 Etude statique du MOSFET:
    
    • ²².2.1 Calcul de la caractéristique statique:
      
    • II .2.2 Cas réel:
      
  • ²² .3 Etude dynamique du MOSFET:
    
    • 
      
    • II .3.1 Calcul de la conductance et de la transconductance:
      
    • 
      
    • ²² 3.2 Calcul des capacités:
      
• CHAPTRE ²²² Bruit dans le transistor MOS page : 27
  
  • ²²².1 Bruit thermique :
    
  • ²²².2 Bruit en 1/f :
    
    • B-Régimee de forte inversion :
      
  • ²²².3 Bruit de grenaille :
    
  • ²²².4 Modélisation du bruit dans le MOSFET :
    
    • ²²².4.1 Schéma équivalent physique pour le bruit :
      
    • ²²² .4.2 Schéma équivalent avec générateur de bruit ramené à l'entrée :
      
  • ²²².5 Facteur de bruit :
    
  • ²²².6 Simulation et analyse :
    
• 
  
• Conclusion générale
  
• Résumé: