Résumé:
Le travail présenté dans ce mémoire concerne
la modélisation et la simulation de bruit de fond dans le transistor MOS
à canal long en basse et moyenne fréquence.
En ce qui concerne la modélisation, une étude de
la physique a été présentée afin de décrire
les différentes sources de bruit de fond dans le transistor MOS: le
bruit thermique, le bruit en 1 / f et éventuellement le bruit
de grenaille, ...
En ce qui concerne la simulation, un outil informatique «
Mathcad » a été utilisé afin de rendre compte de
l'influence des paramètres technologiques et de polarisation.
Mots clés:
MOSFET, bruit de fond, simulation, modélisation, basse
fréquence, Mathcad.
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