3.6.2 Paramétres de mailles :
La figure (3.20) ci-dessous montre une partie du statut de
calcul obtenue à la fin de la simulation. Cette fichier est très
importante, on trouve les informations de calcul les tous
détaillées. Cette partie est la partie spécifique pour les
paramètres des mailles à prédire par la dynamique
moléculaire. Nous avons lancé deux calculs l'un avec 200 GPa et
l'autre 100 GPa.
100 GPa
FIGURE 3.20 - Statut de calcul
des paramétres de mailles
Chapitre III Résultats et
discussions
60 | P a g e
Ces valeurs trouves sont en accord avec les paramétres
des mailles trouvés expérimentalement. Sur le tableau suivant
(3.6), nous avons présenté tous les paramétres des mailles
de notre calcul et les valeurs trouvées par l'expérimentale.
|
Paramètres des
mailles
(A°)
|
Expérimentale
|
Notre calcul Notre calcul
Avec 200 GPa Avec 100 GPa
|
|
a
|
3.782
|
3.639115 3.632904
|
|
b
|
3.782
|
3.639115 3.632904
|
|
c
|
9.502
|
9.142120 9.126518
|
|
á
|
90
|
90 90
|
|
fi
|
90
|
90 90
|
|
ã
|
90
|
90 90
|
TABLEAU 3.6 - Les
paramétres des mailles calculés et expérimentales
Le tableau (3.6) nous montre aussi que si on a diminué
la pression de 200 à 100 GPa, les paramétres des mailles a, b et
c diminuent légèrement.
En contraire, les angles des mailles restent inchangés
pour les deux valeurs de pression. Alors on peut constater que la pression est
un facteur très important qui influe directement sur les
paramètres des mailles. Donc la pression peut varier ces
paramétres uniquement pour a, b et c et pas pour les angles.
3.6.3 Structure des bandes et densité
d'état électronique DOS :
Les figures ci-dessous (3.21) et (3.22) montrent
respectivement les structures des bandes pour 200 GPa et pour 100 GPa et les
densités d'états électroniques DOS.
Le calcul de ces propriétés est
réalisé par le code CASTEP inclue dans MS avec la même
énergie de coupure 450 eV.
L'interaction d'échange - corrélation est
décrite par l'approximation de GGA - PBE avec un K-Points
3×3×3.
Chapitre III Résultats et
discussions
200 GPa
100 GPa
FIGURE 3.21 - Les structures des
bandes pour deux pressions
61 | P a g e
Chapitre III Résultats et
discussions
62 | P a g e
200 GPa
100 GPa
FIGURE 3.22 - Les densités
d'états électroniques DOS
La première figure montre un gap de 3.701 eV pour une
pression de 200 GPa et la deuxième
montre un gap de 3.843 eV pour la
pression de 100 GPa. Ceux valeurs trouves sont un peu loin
Chapitre III Résultats et
discussions
63 | P a g e
de gap expérimentale obtenue 3.6 eV et aussi peu loin
des valeurs calculés par DFT. Mais on constate bien que si on a
diminué la pression de 100 à 200 GPa, le gap à augmenter
automatiquement.
Alors on peut comprendre que la pression est un facteur
très important influant directement sur la largeur des bandes
interdites. Donc cela nous permet de passer d'un semi-conducteur à un
isolant ou d'un isolant a un semi-conducteur.
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