Ministère de l'Enseignement Supérieur
et de la Recherche Scientifique Université des Sciences et de la
Technologie d'Oran Mohamed Boudiaf Faculté des Sciences
Département de Physique
Spécialité : physique
Option : Traitement de Surface et Structure
des Matériaux
Mr : BENDIEMRAD MANSOUR KAMAL Soutiendra publiquement un
mémoire de Magister intitulé :
Réalisation d'un capteur de gaz
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le : / 11/ 2009
Devant le jury composé de :
Président : Saïd HIADSI
Rapporteur : Saad HAMZAOUI Examinateur : Ahmed BELASSRI
Examinateur : Moustafa BOUDERBALA Membre invité : Zoubida BELGHOMARI
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Professeur Professeur Professeur
Maitre de conférence Maitre assistante
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U.S.T.O (M.B) U.S.T.O (M.B) U.S.T.O (M.B) U.S.T.O (M.B)
U.S.T.O (M.B)
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Je tiens à remercier prioritairement le professeur Saad
HAMZAOUI pour m'avoir accueilli au sein du laboratoire de microscopie
électronique et sciences des matériaux (LME&SM),
encadré, orienté, assisté, et guidé sur les travaux
objet de mon mémoire. Les remerciements hors protocolaires s'expriment
loyalement et sincèrement pour ses qualités tant humaines que
scientifiques, qu'il trouve ici l'expression de toute ma gratitude pour avoir
mis à ma disposition tous les moyens disponibles au laboratoire et pour
n'avoir jamais cesser de me prodiguer conseils, assistances et aides.
Je souhaite remercier le professeur S. HIADSI pour avoir bien
voulu me faire l'honneur de présider le jury.
Je tiens également à témoigner ma
reconnaissance à Mr A. BELASSRI et Mr M. BOUDERBALA qui ont
accepté d'être membres du jury, ainsi que Mme Z. BELGHOMARI qui a
bien voulue examiner ce travail et participer au jury.
Mes remerciements s'adressent également à
l'ensemble des personnes que j'ai fréquemment sollicitées dans le
cadre de mon travail.
Enfin je tien à remercier l'ensemble de mes amis et de mes
connaissances pour leur aides et soutien morale, tendant à faciliter mes
tâches.
Merci à tous et toutes.
Résumé
L'objectif de ce travail est la réalisation de capteurs
à gaz à base de couches minces d'oxyde de zinc (ZnO)
dopées et non dopées, avec un mini four intégré
(conçu avec une double couche de nickel plus tungstène) sur un
wafer de Si poly cristallin, afin de contrôler et de réguler
à plus au moins un degré Celsius (1°C) de
précision.
Nous avons obtenu quatre types de capteurs : ZnO pur, ZnO
dopé Al 1% et 3 % et ZnO dopé Cu 1%.
Les mesures électriques effectuées sur ses
capteurs ont montré une grande sensibilité au gaz
d'éthanol pour celui dope Cu (S = 250), une sensibilité
moyenne pour le non dopé (S = 28) et une faible
sensibilité pour le dopé Al (S = 3).
L'état de surface observe par MEB présente une
structure colonnaire pour toutes les
couches avec des tailles de grains observé par DRX
correspondant à de la taille des
colonnes.
L'échantillon dope Cu présente des tailles de
grains et de colonne double de celle des autres.
Cette sensibilité ne peut par consequent pas être
expliquee par l'effet morphologique. L'explication serait dans un effet
catalytique du Cu ?
Mots clés : capteur de gaz MOX, oxyde de zinc, mini-four,
couches minces, sensibilité, détection.
Table des matières
Introduction générale 14
Chapitre I Les capteurs de gaz (chimiques)
Partie 1 : Rappel sur les capteurs de gaz et capteur
à base d'oxyde métallique (MOX), cas de l'oxyde de Zinc ;
propriétés et application pour la détection des
gaz.
I.1 Introduction 19
I.2 Définition d'un capteur de gaz .. 19
I.3 Principales familles de capteurs 19
I.3.1 Capteur Direct . 21
I.3.1.1 Capteur à transistors à effet de champs
(GASFET ou ChemFET) .. 21
I.3.1.2 Capteur Electrochimique 21
I.3.1.3 Capteur à base d'oxyde métallique .. 22
I.3.2 Capteur Indirect (Complexe) ... 22
I.3.2.1 Capteur à microbalance de quartz 22
I.3.2.2 Capteur à onde acoustique de surface 23
I.3.2.3 Capteur à fibre optique 24
I.4 Caractéristique d'un capteur de gaz . 24
I.4.1 Sensibilité . 24
I.4.2 Sélectivité . 25
I.4.3 Stabilité 25
I.4.4 Température de fonctionnement .. 25
I.4.5 Temps de réponse . 25
I.5 Capteurs de gaz à base d'oxyde métallique (MOX)
26
I.5.1 Matériaux sensibles 26
I.5.2 Structure d'un capteur MOX ... 26
I.5.3 Principe de fonctionnement 27
I.5.3.1 Conductivité du ZnO 27
I.5.3.2 Interaction gaz - solide .. 27
I.5.3.3 Adsorption à la surface d'un oxyde
métallique 28
I.5.3.3.1 Chimisorption dans un semiconducteur 28
I.5.3.4 Mécanisme mise en jeu dans un oxyde
métallique pour la déviation du type
Semiconducteur .. 36
I.5.3.4.1 Mécanisme de la non stoechiométrie a
conductivité n 36
I.5.3.4.2 Mécanisme de la non stoechiométrie a
conductivité p 36
I.5.3.4.3 Effet de la morphologie sur les
propriétés électrique des oxydes
métalliques .. 37
I.5.3.4.4 A propos des joints de grains . 37
I.5.3.4.5 Rôle d'état de surface dans les oxydes
métalliques 38
I.5.3.5 Rôle de l'oxygène et principe de
détection 39
I.6 L'oxyde de zinc (ZnO) .. 41
I.6.1 Propriété de l'oxyde de zinc (ZnO) . 41
I.6.2 Structure cristalline du ZnO 41
I.6.3 Structure Electronique du ZnO 43
I.6.4 Propriété électrique de l'oxyde de
zinc 44
Partie 2 : Phénomène de chauffage dans
une couche mince métallique et transfert de chaleur.
I.7 Introduction 47
I.8 Propriétés générales des
matériaux métalliques on couche mince à usage
thermique 47
I.9 Conductivité électrique dans une couche mince
métallique . 48
I.10 Dissipation de la chaleur par effet joule dans une couche
mince métallique 50
I.11 Phénomène de transfert de chaleur . 53
I.11.1 Phénomène de diffusion de la chaleur :
métal/isolant 54
Chapitre II Procédure expérimentale et
Techniques de caractérisation
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