Chapitre III
L'aspect des diagrammes montre l'existence d'une boucle
capacitive, une exception à été observée pour
l'électrode revêtue à 0,25mA/cm2 à une
concentration 0,01M du Ce(NO3)3.6H2O, où le diagramme est
constitué d'une boucle capacitive à HF et l'initiation d'une
boucle inductive à BF qui peut être liée à une
variation du taux de recouvrement de la surface induite par des
réactions d'adsorption ou désorption. En revanche, pour les
revêtements obtenus à partir de solutions plus concentrées
0,1M, l'arc inductif disparait.
En ce qui concerne les revêtements
élaborés à partir de 0,01M à une densité de
courant entre 1 et 1,5mA/cm2, les diagrammes STE sont presque
similaires en aspect et en valeur de la résistance de polarisation. Par
ailleurs, le diagramme relatif au revêtement obtenu à
3mA/cm2 est composé d'une boucle capacitive et l'initiation
d'un autre temps de relaxation lié soit à une diffusion ou un
nouveau phénomène capacitif caractérisé soit par
une droite linéaire ou d'une nouvelle boucle capacitive respectivement.
Ceci concorde assez bien avec les résultats des techniques
stationnaires. En effet, nous avons déjà montré que le
meilleur comportement à été observé pour les
revêtements obtenus entre 0,5 et 1 mA/cm2. Ceci est aussi
montré par les résultats des techniques fréquentielles. De
plus la boucle inductive BF observée sur le diagramme relative au
revêtement obtenu à 0,25mA/cm2 est signe d'un
revêtement non recouvrant. Cependant l'initiation de nouveau temps de
relaxation à BF sur le diagramme relatif au dépôt obtenu
à 3mA/cm2 est à priori due à la diffusion de
l'oxygène vers l'interface à travers les fissures du
revêtement.
les travaux effectués antérieurement [3] ont
conclus que les fortes densités de courant forment des
dépôts en deux périodes dont la première est
attribuée à la formation des grains de tailles fines, recouvrant
toute la surface, la deuxième est liée à la superposition
de nouvelles couches engendrant ainsi l'augmentation de l'épaisseur qui
rend les dépôts denses et fissurés, l'augmentation des
fissures est liée au processus de dégagement d'H2, entrainant un
accès plus rapide des ions chlorures à la surface de
l'électrode. Par ailleurs, à de faibles densités de
courant, la formation de gros cristaux retardent le recouvrement total de la
surface, il est à noté qu'a des faibles densités de
courant et notamment à 0,25mA/cm2, la surface de
l'électrode contient de nombreux produits de corrosion,
l'épaisseur du dépôt obtenu à forte densité
de courant les rend invisibles alors qu'ils peuvent exister.
Dans le mécanisme électrochimique les
réactions se déroulant dans un bain de nitrate de cérium
où la production des ions (OH- )favorise la formation d'un
précipité d'hydroxyde de cérium sous forme Ce(OH)3, ainsi
la formation de l'oxyde de cérium se fait par l'intermédiaire de
l'oxydation de Ce(OH)3 de ce fait les revêtements élaborés
à différentes densités de courant sont composés
d'une structure du type bicouches, couche externe d'oxyde
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