Chapitre III
En analysant les résultats figurants dans les tableaux
III-1 et III-2 on s'aperçoit que quelle que soit la concentration, on
observe que par rapport à l'acier nu, les potentiels d'abandon des
substrats revêtus tendent vers des potentiels cathodiques ceci confirme
bien l'existence du film protecteur et son pouvoir de protection cathodique,
les valeurs de la pente des droites de Tafel confirme bien cette conclusion. De
plus, on constate que les potentiels relatifs aux revêtements obtenus
entre 0,5 et 1,5 mA/cm2 sont presque stables (dans les alentours de
500mV/Ag/AgCl). Dépassant cette valeur (à 3mA/cm2), le
potentiel déplace dans le sens inverse (dans le sens anodique). Ceci
nous laisse croire que les revêtements élaborés à
0,5 et 1 mA/cm2 à partir de Ce(NO3)3.6H2O 0,01M et les
revêtements élaborés à 0,25 et 1 mA/cm2
à partir de Ce(NO3)3.6H2O 0,1M sont les plus efficaces.
De plus, on remarque une importante affectation des branches
cathodiques avec une légère modification des branches anodique
figures III.7et III.9 corrélant parfaitement les travaux
précédemment énoncés. Ceci est en parfait accord
avec des travaux précédents [2].
En effet les revêtements à base d'oxydes de
cérium constituent une barrière physique affectant directement le
processus cathodique.
Les figures III.8 et III.10 montrent les voltammogrammes
obtenus sur le substrat nu et les substrats revêtus à
différentes densités de courant, On constate que pour l'ensemble
des substrats revêtus à partir de Ce(NO3)3.6H2O 0,01M y compris le
substrat nu l'existence d'une hystérésis dont sa largeur est
très importante pour le substrat nu. En revanche, les plus faibles
hystérésis, ou inversement pour les couches de compactage sont
relatives aux revêtements obtenus entre 1 et 1,5 mA/cm2. Pour
les revêtements obtenus à partir de Ce(NO3)3.6H2O 0,1M on constate
presque la même chose avec une légère différence. En
effet pour le substrat nu et le substrat revêtu à 3
mA/cm2, l'hystérésis est très importante. De
plus pour le substrat revêtu à 1 mA/cm2 le tracé
aller se superpose au tracé retour traduisant une parfaite
stabilité de la surface.
Les surfaces de l'hystérésis mentionnés
dans les tableaux indique que la couche de compactage formé sur les
substrats revêtus entre 0,5 et 1 mA/cm2 et entre 0,25 et 0,5
mA/cm2 à partir de 0,01 M et 0,1M respectivement sont les
plus représentatives d'un revêtement stable. Cet écart peut
être justifié par le faite de passer de faible à forte
concentration, on dépose plus d'hydroxyde de cérium. De plus sur
les voltammogrammes aucun pic de réduction ou d'oxydation n'a
été observé durant le balayage aller ou de retour
respectivement, ceci nous permis de conclure que le revêtement est
composé d'oxy-hydroxydes stable.
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