II-2-4). Conclusion:
Dans ce paragraphe, nous avons présenté le
modèle de Lorentz qui a décrit la réponse
réflectivité optique par une expression de la fonction
diélectrique (n~a pris en compte que la contribution des phonons
optique). Cependant cette expression nous permet d~expliquer au niveau
microscopique l~effet de différents paramètres ( , , LO
, TO ,&) à la réponse optique
résultante.
Autrement, le principe d~analyse de Lorentz est de disposer
d~un programme (modulateur) qui nous permet de calculer le pouvoir
réflecteur, pour chaque fréquence , et de comparer la courbe de
réflexion calculée avec le spectre observé, afin d~ajuster
des différents paramètres :
, 1 , , & (de la formule (II-10)) (ou : ,
LO , TO , (de la formule (II-26))) de
manière à
faire coïncider le facteur de réflexion
calculé aux valeurs expérimentales (ceux-ci va être
discuté dans le chapitre III).
Quelques valeurs ajustés, ont été
collectés de la littérature [II-8] pour quelques matériaux
III-V sont données dans le tableau ci-contre :
|
GaP
|
GaAs
|
InSb
|
|
cm- 1
|
m
|
THz
|
cm- 1
|
m
|
THz
|
cm- 1
|
m
|
THz
|
|
L
|
402.4
|
24.85
|
12.07
|
292.1
|
34.23
|
8.763
|
190.4
|
52.52
|
5.71
|
|
T
|
353.4
|
27.51
|
10.90
|
367.8
|
37.34
|
8.04
|
179.1
|
55.74
|
5.37
|
|
1.1
|
9090
|
0.03
|
2.54
|
3937
|
0.07
|
2.86
|
3496
|
0.08
|
|
9.09
|
11.0
|
15.7
|
Cependant, si nous augmentons le nombre de porteurs libres
dans un semi-conducteur en le dopant (des atomes sont incorporés au
cristal et peuvent apporter soit des électrons « dopage n »,
soit des trous « dopage p » en s~ionisent), ces porteurs
supplémentaire vont contribuer à la polarisabilité de la
matière, et donc le modèle de Lorentz devient insuffisant (n~a
pris en compte que la contribution des phonons optiques). Dans la partie
suivante nous allons introduire le modèle de Drude qui décrit la
contribution de ces électrons libres à la polarisabilité
de la matière et par conséquent à la réponse
optique (Réflectivité).
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