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Elaboration et caractérisation physique des couches minces de TiO2 déposées par pulvérisation cathodique

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par Ihsen BEN MBAREK
Ecole Nationale d'Ingénieurs de Tunis - Mastère en Génie des Systèmes Industriels 2009
  

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Chapitre 3 : Elaboration et caractérisation des couches de TiO2

Cette jonction peut être améliorée par un dopage adéquat afin d'avoir un semi-conducteur fortement dopé N+. On propose comme dopant le niobium ou le vanadium. Nous avons montré dans le premier chapitre que par analogie avec les activités photocathalytiques, le dopage par ces matériaux translate la zone de photoactivité du TiO2 vers le domaine visible et a un effet plus important que celui de la température du substrat.

3.5.2.2 Épaisseurs et indices de réfraction

A partir des spectres de réflexion et dans la zone de faible absorption de 400 à 1800 nm, nous avons déterminé les épaisseurs et les indices de réfraction moyens des différentes couches élaborées sur des substrats de verre en utilisant les équations (6), (9) et (10) (cf. Tab. 3.7).

Tab. 3. 7 Epaisseurs et indice de réfraction des couches de TiO2/Verre

Température du substrat Ta

100

200

300

nc

2.3

2.5

2.7

2.3

d (nm)

183

151

114

152

Notons que le minimum d'épaisseur a été obtenu pour la couche déposée à substrat chauffé à 200°C et qu'à cette température on note un maximum d'indice de réfraction. Plus la couche est cristallisée et dense, plus elle est réfractaire et par suite d'indice de réfraction est plus élevé [j] (par exemple le verre (amorphe de n = 1.5), vide (de densité nulle et n = 1), air (de faible densité), le diamant (cristallisé et dense (3.52 gcm-3) de n=2.45).

Or, d'après les analyses de DRX, lorsque la température augmente, les couches deviennent de plus en plus cristallisées suivant une orientation préférentielle jusqu'à 200 °C.

Au-delà de cette température, l'apparition d'une autre orientation cristalline augmente les défauts cristallins et le désordre dans la structure de la couche pour tendre vers une structure polycristalline. De ce fait, l'indice de réfraction va évidemment décroit. L'épaisseur de la couche varie en sens opposé par rapport à l'indice de réfraction selon l'équation (10).

3.5.2.3 Coefficients d'absorption

Les coefficients d'absorption sont évalués à partir des mesures de la transmission et de la réflexion optiques des couches minces dans le domaine spectral 300-400 nm, en appliquant la relation (14) (voir Fig.3.19).

ENIT 2009 69

Chapitre 3 : Elaboration et caractérisation des couches de TiO2

h? (eV)

Amb 100°C 200°C 300°C

Fig. 3. 19 Coefficient d'absorption en fonction de l'énergie des couches deTiO2/verre

On remarque que les valeurs des coefficients d'absorption des couches sont assez élevées et avoisinent la valeur de 105 cm-1 dans le domaine du proche-visible (3.2 eV). On constate aussi que le coefficient d'absorption est maximal pour la couche déposée à 200 °C.

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