C-------------------------------------------------------------------------------------
CM : Couche Mince.
CTP : Résistance à Coefficient de
Température Positif. CVD : Chemical Vapour Deposition.
D------------------------------------------------------------------------------------
DC : Direct Current.
DIBS : Dual Ion Beam Sputtering. DRX : Diffraction des Rayons X.
DSSC : Dye-Sensitized Solar Cells.
E------------------------------------------------------------------------------------EJT
: épitaxie par jets moléculaires.
H------------------------------------------------------------------------------------HP
VEE : Hewlett Packard Visual Engineering Environment.
I-------------------------------------------------------------------------------------
IBAD : Ion Beam Assisted Deposition.
IBS : Ion Beam Sputtering.
ICDD : International Centre for Diffraction Data.
ICSD : Inorganic Crystal Structures Database.
IR : Infrarouge (780 nm et 1 000 000 nm) : IR proche (de 0,78 pm
à 1,4 pm), IR moyen (de 1,4 à
3 pm), IR lointain : (de 3 pm à 1 000 pm).
J-------------------------------------------------------------------------------------
JCPDS : Joint Committee on Powder Diffraction Standards.
L-------------------------------------------------------------------------------------
LIR : IR lointain de 3 pm à 1 000 pm.
LISR : Large Integrating Sphere Attachment.
LPCVD : Low-Pressure Chemical Vapor Deposition.
LP-MOCVD : Low-Presssure Metal-Organic Chemical Vapor
Deposition.
M------------------------------------------------------------------------------------
MBE : Molecular Beam Epitaxy.
M-D : Movchan et Demchishin model. MIR : IR moyen de 1,4 à
3 pm.
MOCVD : Metal-Organic Chemical Vapour Deposition.
MOSFET : Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
MOV : Matières Organiques Volatiles.
P------------------------------------------------------------------------------------
PDF : Powder Diffraction File.
PECVD : Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition.
PET : Polyester.
PID : Proportional-Integral-Derivative Controller.
PIR : IR proche de 0,78 pm à 1,4 pm.
PLD : Pulsed Laser Deposition.
PVD : Physical Vapor Deposition.
R------------------------------------------------------------------------------------
RF : Radio Frequency 13.56 MHz.
S-------------------------------------------------------------------------------------
Sccm : standard cubic centimeters per minute (soit un
centimètre cube par minute dans les
conditions suivantes : Température = 0°C, Pression =
101.325 kPa)
SFM: Scanning Force Microscope.
SIE : Spectroscopie d'Impédance Electrique.
SPM : Scanning Probe Microscope.
T-------------------------------------------------------------------------------------TCO
: Transparent Conducting Oxide.
U------------------------------------------------------------------------------------
UC : Unité de Contrôle.
ULVAC : The ULtimate in VACuum Technology.
UVCVD : Ultra-Violet Chemical Vapor Deposition.
UHV-MOCVD : Ultra-High Vacuum Metal-Organic Chemical Vapour
Deposition.
UV : Ultra-Violet.
UVA : Ultraviolet-A (400-315 nm).
UVB : Ultraviolet-B (315-280 nm).
UVC : Ultraviolet-C (280-10 nm).
UV extrêmes : Ultraviolets extrêmes (200-10 nm).
UV proches : (380-200 nm de longueur d'onde).
Y-------------------------------------------------------------------------------------YAG
: Yttrium Aluminium Garnet.
ENIT 2007 vi
Introduction générale
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