I.2.3.2. Evaporation thermique :
L'évaporation est une technique d'obtention des films sous
vide qui consisteà évaporer ou sublimer un matériau
(figure I.7). Le dépôt se fait par condensation de la phase vapeur
sur
source [19
chauffage électri
champ magnétique, par bombardementélectronique et
par laser [19].
|
Généralité et contexte
bibliographique.
|
intermédiaire. Cependant, certains problèmes
spécifiques à l'évaporation existent: il est difficile de
déposer des matériaux très réfractaires ou à
faible tension de vapeur. Cette méthode ne permet pas de maîtriser
facilement la composition chimique dans le cas d'un alliage par suite d'un
effet de distillation du composant le plus volatil. Les couches peuvent
être aussi contaminées par réaction avec le creuset, avec
le filament et surtout par le dégazage des parois induit par
l'échauffement ou le bombardement desélectrons.
L'évaporation permet l'obtention de film à une vitesse de
dépôt élevée. En revanche, les inconvénients
que présente cette technique sont l"élaboration de film souvent
sous-
des couches et la nécessité d'une densité de
puissance assez importante pour produire la phase gazeuse des matériaux
ayant un point de fusion très élevé.
I.2.3.3. Ablation laser:
un faisceau laser impulsionnel. Le faisceau est
focalisé sur une cible placée dans une enceinte sous ultra-vide
(figure I.8). Les impulsions lasers permettent la vaporisation de
matériaux sous forme de plasma. Le panache de matière ainsi
éjectée perpendiculairement à la cible vient se condenser
sur un substrat placé en vis-à-vis pour former un
revêtement [20-22].
Panacheplasmade
matièreéjectée
Figure I.8 : Pri
Filmmince
Substrat
Cible
Faisceaulaser
Cette technique, connue depuis plus de 20 ans, a prouvé
toute son efficacité concernant
multitude de composés de haute pureté allant
des supraconducteurs à haute température aux
matériaux durs. La pureté des dépôts ne
|
Généralité et contexte
bibliographique.
|
dépend, dans ce cas, que de la pureté de la
cible utilisée. Le principal avantage de cette technique est le
dépôt à température ambiante permettant ainsi le
revêtement sur tout type de substrats allant des semi-conducteurs aux
matériaux polymères [23].
Les lasers utilisés délivrent
généralement des impulsions courtes de durée nanoseconde
(10-9s) ou ultra- uelques centaines de femtosecondes
(10-15s, parfois qualifiées de sub-picosecondes).
| 
