II-5-1-1 Influence de la résistance série Rs
:
La résistance série est la résistance
interne de la cellule. Elle dépend principalement de la
résistance du semiconducteur utilisé, de la résistance de
contact des grilles collectrices et de la résistivité de ces
grilles. laFigure II.9 montre l'influence de la résistance série
sur la caractéristique I-V. Cette influence se traduit par une
diminution de la pente de la courbe I= f (V) dans la zone où le module
fonctionne comme source de tension, à droite du point de puissance
maximum [13].
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Figure II.9: L'influence de la
résistance série Rs sur la caractéristique I(V) et P(V)
[13].
II-5-1-2 Influence de la résistance shunt :
La résistance shunt est une résistance qui prend
en compte les fuites inévitables du courant qui intervient entre les
bornes opposées d'une photopile La résistance shunt est
liée directement au processus de fabrication, et son influence ne se
fait sentir que pour de très faibles valeurs du courant (proche du
courant de court-circuit). La Figure II.10 montre que cette influence se
traduit par une augmentation de la pente de la courbe I-V du module dans la
zone correspondante à un fonctionnement comme une source de
courant[13].
Figure II.10 :Influence de la
résistance shunt Rsh sur la caractéristique I(V) et P(V) [13]
II-5-2 Influence de l'éclairement :
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Figure II.11: Influence de
l'éclairement sur la caractéristique I (V) à
T=25°C[12]
Figure II.12: Influence de l'éclairement
sur la caractéristique P (V) à T=25°C [12]
Les figures (II.4 et II.5) représentent les
caractéristiques d'un panneau photovoltaïque SPR315E SUNPOWER
vis-à-vis des variations de l'éclairement à une
température constante. On remarque que la tension ne varie que
très peu en fonction de l'éclairement, contrairement au courant
et la puissance qui augmente fortement avec l'éclairement.
II-5-3 Influence de la température :
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Figure II.13 : Influence de la
température sur la caractéristique I (V) à
E=1000W/m2 [12]
Figure II.14 : Influence de la
température sur la caractéristique P (V) à
E=1000W/m2 [12]
Les figures (II.14 et II.15) représentent les
caractéristiques d'un panneau photovoltaïqueSPR315E SUNPOWER
vis-à-vis des variations de la température à un
éclairement constant. On remarque que le courant est pratiquement
inchangé et la tension est inversement proportionnelle par rapport
à la température.
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En effet, pour le silicium, lorsque la température
augmente, le courant de la cellule augmente d'environ 0,025 mA/cm2/°C
alors que la tension décroît de 2,2 mV/°C/cellule. Cela se
traduit par une baisse de puissance d'environ 0,4%/°C.
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