Etude des propriétés optiques dans l'infrarouge lointain des hétérostructures à base de semi conducteurs Gaas/ Algaas modèle de la fonction diélectrique

Royaume de Maroc

Ministère de l~enseignement supérieur,

de la recherche scientifique, et de la formation des cadres

Université Sidi Mohamed Ben Abdellah

Mémoire

Présenté au Département de Physique -Laboratoire de Solide- Pour
L~obtention de Diplôme de :

Master

En Physique de Solide
Option : Physique des Matériaux et Nanostructures

Par : EL MOUFAKKIR Mohammed

Encadré par : ZORKANI Izzedine

THEME

etude des Propriétés Optiques dans llinfrarouge Iointain
des iiéterostructures à Base des Jemi-conducteurs GaAs/Ga1-_xAl_xAs

--Modèle de la Fonction Diélectrique-

Soutenu devant le jury :

Mr. (PES) F.S.D.M

Mr. (PES) F.S.D.M

Mr. (PES)

Mr. (PES)

MASTER PMANA -- 2010/2012 --

Je dédie ce modeste travail à :

MEs TRts cHERs pARENTs.

MEs FRIREs ET sCIEuRs.

MA cHIRE FEMME.

Tous MEs AMIs.

Je tiens 6 remercier en premier lieu, mon encadrant, monsieur Izedinne ZORKANI. Je le remercie de m'avoir accueillie et de m'avoir trRs vite encouragRe 6 rRaliser ce mRmoire scientifique. Leurs grandes disponibilitRs, leurs rigueurs scientifiques, leur enthousiasme, leur patience et leurs prRcieux conseils m'ont permis de travailler dans les meilleures conditions.

`dux Messieurs le Professeurs M. Anouar JORIO,

, je suis très sensible à l'honneur que vous me faites en acceptant de participer comme membres du jury de ce m moire. Soyez assuré, messieurs de mon plus profond respect.

Mes remerciements vont également aux professeurs : I.Zorkani, A. Jorio, M. Baitoul, A. Merrakkchi, J. Ouazzani, A. Ouazzani, S. Dekkaki, .... Pour leurs contributions mon formation durant les deux ans de Master.

Table des matières

Introduction Générale

Chapitre I : Généralités sur les semi-conducteurs : III-V (GaAs/GaAlAs), et

leurs hétérostructures.

I-1). Introduction:

I-2). Les matériaux semi-conducteurs III-V (GaAs, GaAlAs) massifs:

I-3). L'alliage ternaire Ga1-xAlxAs :

I-4). Les hétérostructures à base des semi-conducteurs III-V (GaAs/GaAlAs) :

I-4-1). Puits quantiques :

I-4-2). Multipuits quantiques et superréseaux :

I-5). Fabrication des hétérostructures :

I-6). Les applications d'hétérostructures (GaAs-GaAlAs):

I-6-1). La jonction p-n polarisée en direct (la diode):

I-6-2). Structure MIS : effet tunnel et électroluminescence : I-6-3). Laser à cascade quantique :

I-6-4). Applications industrielles et défis technologiques :

I-7). Conclusion: