III.2.1. Introduction :
Le but du récepteur est d'extraire avec des moyens
fiables l'information transmise à partir du signal optique
reçu.
III.2.2. Photodétecteurs
:
Le photodétecteur est un semi-conducteur de jonction PN
polarisé en inverse permet la conversion du signal optique reçu
(les photons) en signal électrique par l'effet
photoélectrique.
III.2.2.1. Effet
photoélectrique :
Sous l'effet d'un photon d'énergie suffisante, un
électron est arraché de la bande de valence et passe dans la
bande de conduction, produisant une paire de porteurs libre
électron-trou.
Ces porteurs sont dissociés par le champ
électrique et participent à la création d'un
photocourant.
III.2.2.2. Différents types
de photodétecteurs :
Les photodiodes peuvent être classées en deux
catégories : celles qui n'ont aucun gain
interne PN et PIN, et celles qui ont un gain interne AVALANCHE
(APD).
· PIN: Positive Intrinsic Negative Photodiodes.
Ce sont également des dispositifs à
semi-conducteurs qui possèdent une région intrinsèque
(faiblement dopée) prise en sandwich entre une région de type p
et une région de type n.
Lorsqu'il est polarisé en inverse, ce composant
émet un courant proportionnel à la puissance optique
incidente.
· APD: Avalanche Photo Diode. Ce sont des composants
semi-conducteurs qui réagissent à l'intrusion de photon dans la
zone de jonction PN par le déclenchement d'une avalanche
électronique.
Ce phénomène crée un courant
électrique conséquent à partir de très peu de
photon incident.
Les photodétecteurs de type APD présentent de
meilleures performances à 2,5 et 10 Gb/s que les types PIN.
Leur coût est également plus élevé.
Néanmoins, pour les débits élevés à 40Gb/s,
des prototypes de photodiodes de type PIN surpassent les types APD.
Les types PIN pourraient alors reprendre du terrain à
ces fréquences sur le type APD.
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