II- AVANCEMENT DE LA MEMOIRE VIVE
1- Evolution de la mémoire vive
1.1 La mémoire DDR1
La mémoire DDR1 (Double Data Rate) est un
type de mémoire à circuit intégré fondé sur
la technologie SDRAM et communément simplifié sous le sigle
DDR.
La DDR offre une meilleur bande passante en transférant
les données à la fois sur le front montant et sur le front
descendant des impulsions d'horloge, cela permet de doubler la vitesse
d'accès à la mémoire en lecture et en écriture.
Aussi Elle fonctionne à une tension de 2,5 V, comparé au 3,3 V
pour la SDRAM. Ceci permet de réduire la consommation
électrique.
· La lecture ou l'écriture de
données en mémoires est réalisé à base d'une
horloge.
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EVOLUTION SUR LA MEMOIRE VIVE
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1.2. La mémoire DDR2 SDRAM
La mémoire DDR2 SDRAM ou DDR-II permet d'accéder
des débits deux fois plus élevés que la DDR à
fréquence externe égale. Ainsi elle est capable d'envoyer ou de
recevoir deux fois plus de données que la DDR.
La DDR2 possède un avantage majeur avec une tension
d'alimentation à 1,8 V comparé aussi au 2.5 V pour la DDR, ce qui
limite la production de chaleur par effet joule.
Lecture
Ecriture
La DDR2 dispose un plus grand nombre de connecteurs que la DDR
(240 pour la DDR2 et 184 pour la DDR).
1.3. La mémoire DDR3 SDRAM
La mémoire DDR3 SDRAM, plus généralement
connu sous la forme abrégée aussi DDR3, (Double Data Rate 3rd
génération Synchronous Dynamic Randon Access Memory, signifiant
en français Mémoire à Accès Direct Synchrone
à Débit de Données Doublé de troisième
génération). Elle a été conçue dans le but
de succéder au standard DDR2, en offrant des améliorations de
performances tout en diminuant la consommation électrique.
La consommation énergétique est de 1,5 V sur la
DDR3 alors que de 2,5 V sur la DDR à 1,8 V sur la DDR2. La
mémoire tampon de pré-lecture pour la DDR3 est d'une largeur de
bus de 8 bits, alors qu'elle était de 4 bits pour la DDR2 et 2 bits pour
la DDR.
Les barrettes DDR3 ont 240 connecteurs comme les DDR2 mais ne
sont absolument compatibles (la différence se fait au niveau des
détrompeurs).
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1.4 La mémoire DDR4 SDRAM
La mémoire DDR4 SDRAM qui sera aussi connue sous le nom
DDR4 fera son apparition à partir de l'année de 2012 mais sa
démocratisation n'est attendue que vers 2015. Toujours dans le
même principe, le but c'est d'améliorer la performance de la
consommation électrique. En effet, ce module a une bande maximale de
2.133 Gbps (gigabits) et fonctionne avec une tension de 1.2 Volt contre 1.5
Volt pour les modules DDR3. Et jusqu'à 1.05 Volt envers la version de
basse consommation. La mémoire tampon de pré-lecture
excédera à plus de 12 bits.
Tableau récapitulatif
Le tableau ci-dessous montre l'évolution de chacune des
RAM (la bande passante - la mémoire tampon - la consommation
électrique).
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Mémoires
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Bandes passantes
|
Mémoire tampon
|
Consommation électrique
|
|
DDR1
|
6.4 Go/s
|
2 bits
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2.5 Volts
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DDR2
|
1.6 GO/s
|
4 bits
|
1.8 Volts
|
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DDR3
|
10 Go/s
|
8 bits
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1.5 Volts
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DDR4
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3.2 Go/s
|
12 bits
|
1.2 Volts
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